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EUR 25,39
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In den WarenkorbZustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 516 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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Hardcover. Zustand: Très bon. Ancien livre de bibliothèque. Légères traces d'usure sur la couverture. Couverture différente. Edition 1991. Ammareal reverse jusqu'à 15% du prix net de cet article à des organisations caritatives. ENGLISH DESCRIPTION Book Condition: Used, Very good. Former library book. Slight signs of wear on the cover. Different cover. Edition 1991. Ammareal gives back up to 15% of this item's net price to charity organizations.
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 29,87
Währung umrechnenEUR 10,23 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach DeutschlandAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. pp. 455.
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 46,49
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In den WarenkorbZustand: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 46,49
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In den WarenkorbZustand: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 54,62
Währung umrechnenEUR 5,76 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach DeutschlandAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 54,62
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In den WarenkorbZustand: New. In.
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EUR 61,74
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In den WarenkorbZustand: New. KlappentextrnrnThe effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the qua.
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EUR 61,74
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In den WarenkorbZustand: New. KlappentextrnrnIn this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation a.
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Verlag: Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1286861640 ISBN 13: 9781286861646
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 74,86
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In den WarenkorbTaschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - The effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the quantum-level characteristics and properties that are responsible for device operation. AlxGa1-xN/GaN MODFETs were fabricated and irradiated at liquid nitrogen temperatures by 0.45 -1.2 MeV electrons up to doses of 6 1016 e /cm2. Following irradiation, low temperature I-V measurements were recorded providing dose-dependent measurements. Temperature-dependent I-V measurements were also made during room temperature annealing following irradiation. I-V measurements indicate radiation-induced changes occur in these devices creating increased gate and drain currents. These increased currents are only maintained at low temperatures (T greater than 300 K). It is believed that the increase in gate current is caused by an increase in the electron trap concentration of the AlxGa1-xN layer. This increase in trap concentration directly increases the trap-assisted tunneling current resulting in the observed increase in gate current. The mechanism causing the increase in drain current is unknown. Several theories explaining this increase are presented along with the additional research necessary to illuminate the correct theory. This is the first experiment involving electron radiation of AlxGa1-xN/GaN MODFETs.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Verlag: Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 74,86
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In den WarenkorbTaschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - In this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation and annealing. Devices irradiated at 80 K exhibited significant persistent electrical degradation at only 5.4 rad (Si), whereas those irradiated at elevated temperatures exhibit transient increases in gate and drain current up to 400 krad (Si). I-V measurements indicate substantial radiation-induced increased gate and drain currents occur only at low-temperature irradiations. The introduction of a high-density of donor defects is hypothesized as the primary cause of both increased values. Irradiating at temperatures gt; 300 K effectively reduces total accumulated dose effects even at 400 krad(Si).
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 79,61
Währung umrechnenEUR 2,30 für den Versand innerhalb von/der DeutschlandAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbZustand: Used. pp. 516.
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 75,21
Währung umrechnenEUR 10,23 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach DeutschlandAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbZustand: Used. pp. 516.
