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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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EUR 28,73
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 58,22
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In den WarenkorbZustand: New. pp. 516.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. KlappentextrnrnIn this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation a.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Verlag: Creative Media Partners, LLC Okt 2012, 2012
ISBN 10: 1249836565 ISBN 13: 9781249836568
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 74,86
Währung umrechnenEUR 61,77 für den Versand von Deutschland nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbTaschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - In this research, the first ever neutron irradiation study of AlGaN/GaN MODFETs was conducted. Devices irradiated to a total 1 MeV Eq (Si) neutron fluence of 1.2x10 16 n/cm2 demonstrated the temperature dependence of irradiation and annealing. Devices irradiated at 80 K exhibited significant persistent electrical degradation at only 5.4 rad (Si), whereas those irradiated at elevated temperatures exhibit transient increases in gate and drain current up to 400 krad (Si). I-V measurements indicate substantial radiation-induced increased gate and drain currents occur only at low-temperature irradiations. The introduction of a high-density of donor defects is hypothesized as the primary cause of both increased values. Irradiating at temperatures gt; 300 K effectively reduces total accumulated dose effects even at 400 krad(Si).
