High resolution x ray scattering (8 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Berlin, Springer, 1999
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Hardcover. Zustand: Gut. 2nd ed. XVI, 408 Ex-library with stamp and library-signature. GOOD condition, some traces of use. Ehem. Bibliotheksexemplar mit Signatur und Stempel. GUTER Zustand, ein paar Gebrauchsspuren. C-05638 9780387400921 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 428 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | During the last 20 years interest in high-resolution x-ray diffractometry and reflectivity has grown as a result of the development of the semiconductor industry and the increasing interest in material research of thin layers of magneti…c, organic, and other materials. For example, optoelectronics requires a subsequent epitaxy of thin layers of different semiconductor materials. Here, the individuallayer thicknesses are scaled down to a few atomic layers in order to exploit quantum effects. For reasons of electronic and optical confinement, these thin layers are embedded within much thicker cladding layers or stacks of multilayers of slightly different chemical composition. It is evident that the interface quality of those quantum weHs is quite important for the function of devices. Thin metallic layers often show magnetic properties which do not ap pear for thick layers or in bulk material. The investigation of the mutual interaction of magnetic and non-magnetic layers leads to the discovery of colossal magnetoresistance, for example. This property is strongly related to the thickness and interface roughness of covered layers.
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Paperback. Zustand: Brand New. 2nd edition. 410 pages. 9.00x6.00x1.00 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - During the last 20 years interest in high-resolution x-ray diffractometry and reflectivity has grown as a result of the development of the semiconductor industry and the increasing interest in material research of thin layers of magnetic, organic, an…d other materials. For example, optoelectronics requires a subsequent epitaxy of thin layers of different semiconductor materials. Here, the individuallayer thicknesses are scaled down to a few atomic layers in order to exploit quantum effects. For reasons of electronic and optical confinement, these thin layers are embedded within much thicker cladding layers or stacks of multilayers of slightly different chemical composition. It is evident that the interface quality of those quantum weHs is quite important for the function of devices. Thin metallic layers often show magnetic properties which do not ap pear for thick layers or in bulk material. The investigation of the mutual interaction of magnetic and non-magnetic layers leads to the discovery of colossal magnetoresistance, for example. This property is strongly related to the thickness and interface roughness of covered layers.
