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GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbZustand: New. Über den AutorYogesh Singh Chauhan is a Professor at the Indian Institute of Technology Kanpur. His research interests include the physics, characterization, and modeling of nanoscale semiconductor devices, and RF circuit design.
