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Gan Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the Asm-Hemt Model
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. Über den AutorYogesh Singh Chauhan is a Professor at the Indian Institute of Technology Kanpur. His research interests include the physics, characterization, and modeling of nanoscale semiconductor devices, and RF circuit design.
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GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics : Using The ASM-HEMT Model
Verlag: Elsevier Science Publishing Co Inc Mai 2024, 2024
ISBN 10: 0323998712 ISBN 13: 9780323998710
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-GaN-HEMT Model covers all aspects of characterization and modeling of GaN transistors for both RF and Power electronics applications. Chapters cover an in-depth analysis of the industry standard compact model ASM-HEMT for GaN transistors. The book details the core surface-potential calculations and a variety of real device effects, including trapping, self-heating, field plate effects, and more to replicate realistic device behavior. The authors also include chapters on step-by-step parameter extraction procedures for the ASM-HEMT model and benchmark test results.
