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Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs
Verlag: Wiley-Interscience (edition 1), 1999
ISBN 10: 0471297003 ISBN 13: 9780471297000
Sprache: Englisch
EUR 146,75
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Fair. 1. The item might be beaten up but readable. May contain markings or highlighting, as well as stains, bent corners, or any other major defect, but the text is not obscured in any way.
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Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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EUR 199,17
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Fundamentals of III-V Devices : Hbts, Mesfets, and Hfets/Hemts
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 275,22
Währung umrechnenKostenlos für den Versand innerhalb von/der DeutschlandAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbBuch. Zustand: Neu. Neuware - HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, daß der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99).
