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Compound Semiconductor Materials and Devices (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Sprache: Englisch
Verlag: Morgan & Claypool Publishers, 2016
ISBN 10: 1627058524 ISBN 13: 9781627058520
Anbieter: Our Kind Of Books, Liphook, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbSoft cover. Zustand: As New. This book has been in storage since publication and is unread. Hence the description as new .
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Compound Semiconductor Materials and Devices
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2016
ISBN 10: 3031009002 ISBN 13: 9783031009006
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors. Readers are offered an inspiring example of monolithic integration of HEMT with LEDs, too. The authors compile the most relevant aspects of III-V HEMT, including the current status of state-of-art HEMTs, their possibility of replacing the Si CMOS transistor channel, and growth opportunities of III-V materials on an Si substrate. With detailed exploration and explanations, the book is a helpful source suitable for anyone learning about and working on compound semiconductor devices.
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NOVEL COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS
Sprache: Englisch
Verlag: Jenny Stanford Publishing, 2017
ISBN 10: 9814745766 ISBN 13: 9789814745765
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTONICS: MATERIALS, DEVICES AND INTEGRATION
Sprache: Englisch
Verlag: Jenny Stanford Publishing, 2010
ISBN 10: 9814267732 ISBN 13: 9789814267731
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 160,22
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 527 pages. 9.25x6.50x1.50 inches. In Stock.
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Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications
Sprache: Englisch
Verlag: Jenny Stanford Publishing, 2017
ISBN 10: 9814745766 ISBN 13: 9789814745765
Zustand: New.
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Novel Compound Semiconductor Nanowires | Materials, Devices, and Applications
Sprache: Englisch
Verlag: Jenny Stanford Publishing, 2017
ISBN 10: 9814745766 ISBN 13: 9789814745765
Buch. Zustand: Neu. Novel Compound Semiconductor Nanowires | Materials, Devices, and Applications | Fumitaro Ishikawa (u. a.) | Buch | Einband - fest (Hardcover) | Englisch | 2017 | Jenny Stanford Publishing | EAN 9789814745765 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu.
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Novel Compound Semiconductor Nanowires : Materials, Devices, and Applications
Sprache: Englisch
Verlag: Jenny Stanford Publishing Dez 2017, 2017
ISBN 10: 9814745766 ISBN 13: 9789814745765
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Neuware - One dimensional electronic materials are expected to be key components for potential applications in nanoscale electronics, optics, energy storage, and biology. Compound semiconductors have been greatly developed as epitaxial growth crystal materials. Molecular beam and metalorganic vapor phase epitaxy approaches are representative techniques achieving 0D-2D quantum well, wire, and dot semiconductor III-V heterostructures with precise structural accuracy with atomic resolution. Based on epitaxial techniques, high-quality, single-crystalline III-V heterostructures have been achieved. III-V Nanowires have been proposed for the next generation of nanoscale optical and electrical devices.
