Advanced gate stacks high mobility (8 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2007
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Hardcover
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Softcover
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2007
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Hardcover
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Softcover
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors | Athanasios Dimoulas (u. a.) | Taschenbuch | Springer Series in Advanced Microelectronics | xxii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642090714 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juerge…n[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2007
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Hardcover
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility sem…iconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 408 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. T…he reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Softcover
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobil…ity semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Dimoulas, Athanasios (Editor) / Gusev, Evgeni (Editor) / Heyns, Marc (Editor) / McIntyre, Paul C. (Editor)
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2007
Serie: Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Softcover
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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Paperback. Zustand: Brand New. 383 pages. 9.00x6.00x0.92 inches. In Stock.
