9783540202158 - electronic properties of semiconductor interfaces (springer series in surface sciences, 43, band 43) von mönch, winfried (5 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Springer 14 J, 2004
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Hardcover. Zustand: Very Good. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces: 43 (Springer Series in Surface Sciences, 43) This book is in very good condition and will be shipped within 24 hours of ordering. The cover may have some limited signs of wear but the pages are clean, intact and the spine remains undamaged. This bo…ok has clearly been well maintained and looked after thus far. Money back guarantee if you are not satisfied. See all our books here, order more than 1 book and get discounted shipping. .
Sprache: Englisch
Verlag: Springer 00/n /14 J, 2004
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Sprache: Englisch
Verlag: Berlin, Springer, 2004
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2004
- Hardcover
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, Springer Vieweg, 2004
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Almost all semiconductor devices contain metal-semiconductor, insulator-semiconductor, insulator-metal and/or semiconductor-semiconductor interfaces; and their electronic properties determine the device characteristics. This is the first monograph that trea…ts the electronic properties of all different types of semiconductor interfaces. Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling's electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.
