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9781605111339 - Materials and Physics for Nonvolatile Memories (Materials Research Society Symposium Proceedings, 1160, Band 1160) von Edited By Yoshihisa Fujisaki , Rainer Waser ,... (4 Ergebnisse)
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2009
ISBN 10: 1605111333 ISBN 13: 9781605111339
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Materials and Physics for Novolatile Memories
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 199 pages. 9.00x6.00x0.55 inches. In Stock.
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160
Sprache: Englisch
Verlag: Materials Research Society, 2009
ISBN 10: 1605111333 ISBN 13: 9781605111339
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
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In den WarenkorbZustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Fujisaki, Yoshihisa; Waser, Rainer; Li, Tingkai; Bonafos, Caroline. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 199 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 15. Weight in Grams: 409. . 2009. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2009
ISBN 10: 1605111333 ISBN 13: 9781605111339
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This third book in a series on nonvolatile memories builds on fundamental materials properties, materials integration, demonstration, and industrial devices gathered in those previous. A strong and increasing interest in nonvolatile memories, both domestic and international, indicates the worldwide importance of these materials and memory devices. The book features research on advanced flash memories, including nanoparticle floating gate FETs, MRAM, FeRAM, ReRAM and phase change RAMs, as well as memories using polymer materials. Papers from a joint session with Symposium FF, Novel Materials and Devices for Spintronics, are also included.
