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9781605110394 - Silicon Carbide 2008 Materials, Processing and Devices (Mrs Proceedings) von Edited By Michael Dudley , C. Mark Johnson , Adrian R. Powell , Sei-Hyung Ryu (4 Ergebnisse)
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Silicon Carbide 2008 ? Materials, Processing and Devices: Volume 1069 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 1605110396 ISBN 13: 9781605110394
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Silicon Carbide 2008 ? Materials, Processing and Devices: Volume 1069 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 1605110396 ISBN 13: 9781605110394
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
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In den WarenkorbZustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Dudley, Michael; Johnson, C. Mark; Powell, Adrian R.; Ryu, Sei-Hyung. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 283 pages, illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 20. Weight in Grams: 518. . 2008. hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Silicon Carbide 2008: Materials, Processing and Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 283 pages. 9.00x6.00x0.69 inches. In Stock.
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Silicon Carbide 2008 - Materials, Processing and Devices
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 1605110396 ISBN 13: 9781605110394
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Silicon carbide (SiC) is a robust semiconductor material being actively developed for high-power and high-temperature applications, especially in the field of power electronics and sensors for harsh environments. This book, the fifth in a continuing series, focuses on SiC growth, defects, and devices. New developments in the growth of bulk SiC single-crystal materials, advances in the epitaxial growth of SiC, and progress in the characterization of materials properties and defects in SiC are featured. The volume also highlights the development of devices manufactured on this wide-bandgap semiconductor including: innovative device designs; characterization of device and materials properties; and improvements in wide-bandgap processing technology.
