9780792391500 - Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 132, Band 132) von Colinge, J.-P. (3 Ergebnisse)

Zustand: New. In.

Zustand: New. Explains the principles and the physics of SOI materials fabrication and characterization, SOI processing SOI MOSFET device physics, and the use of SOI material in novel device design. The performances of SOI circuits for VLSI/ULSI and for niche applications are also described. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 228 pages, biography. BIC Classification: TJFD. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 14. Weight in Grams: 520. . 1991. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.

Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - 5. 2. Distinction between thick- and thin-film devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 5. 3. I-V Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5. 3. 1. Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2 5. 3 . 2. Body effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 8 5. 3. 3. Short-channel effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 5. 3. 4. Output characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 24 5. 4. Transconductance and mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 1 Transconductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 2. Mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 5. 5. Subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 5. 6. Impact ionization and high-field effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 9 5. 6. 1. Kink effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 39 5. 6. 2. Hot-electron degradation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143 5. 7. Parasitic bipolar effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145 5. 7. 1. Anomalous subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 45 5. 7. 2. Reduced drain breakdown voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 7 5. 8. Accumulation-mode p-channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 9 CHAPTER 6 - Other SOl Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 5 9 6. 1. Non-conventional devices adapted from bulk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159 6. 1. 1. COMFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160 6. 1. 2. High-voltage lateral MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6 1 6. 1. 3. PIN photodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 6. 1. 4. JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163 6. 2. Novel SOl devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164 6. 2. 1. Lubistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .