ISBN: 9780471396970 - mosfet models for spice simulation: including bsim3v3 and bsim4 (ieee press) (13 Ergebnisse)

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Hardback. Zustand: New. Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abhängig ist. BSIM3 (BSIM steht für Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgewählt. Es wird erwartet, daß in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln. Dieses Buch erläutert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen für dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der fünf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.…

Zustand: New. An expert guide to understanding and making optimum use of BSIM Used by more chip designers worldwide than any other comparable model, the Berkeley Short-Channel IGFET Model (BSIM) has, over the past few years, established itself as the de facto standard MOSFET SPICE model for circuit simulation and CMOS technology development. Num Pages: 600 pages, index. BIC Classification: UMZ; UYF. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate. Dimension: 238 x 163 x 39. Weight in Grams: 994. . 2001. 1st Edition. Hardcover. . . . .…

Gebunden. Zustand: New. WILLIAM LIU, PhD, is a senior member of the technical staff at Texas Instruments, where he has worked since obtaining his PhD in electrical engineering from Stanford University in 1991. Dr. Liu has been TI s lead contact in mentoring the development of BSIM.

Hardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 600 pages. 9.25x6.00x1.50 inches. In Stock.

Hardback. Zustand: New. Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abhängig ist. BSIM3 (BSIM steht für Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgewählt. Es wird erwartet, daß in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln. Dieses Buch erläutert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen für dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der fünf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.…

Zustand: New. An expert guide to understanding and making optimum use of BSIM Used by more chip designers worldwide than any other comparable model, the Berkeley Short-Channel IGFET Model (BSIM) has, over the past few years, established itself as the de facto standard MOSFET SPICE model for circuit simulation and CMOS technology development. Num Pages: 600 pages, index. BIC Classification: UMZ; UYF. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate. Dimension: 238 x 163 x 39. Weight in Grams: 994. . 2001. 1st Edition. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.…

Buch. Zustand: Neu. Neuware - Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abhängig ist. BSIM3 (BSIM steht für Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgewählt. Es wird erwartet, daß in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln.Dieses Buch erläutert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen für dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der fünf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.…