schlachetzki (21 Ergebnisse)

Zustand: Gebraucht - Sehr gut. Transcript Verlag - 2012 - h4.

PAP. Zustand: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.

Zustand: New. pp. 262.

Zustand: New. Num Pages: 262 pages, 17 b/w & 28 colour illus. BIC Classification: AFKB; AGZ; PDN; TJF. Category: (G) General (US: Trade). Dimension: 225 x 150 x 19. Weight in Grams: 418. . 2012. Paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.

OBroschur. 403 Seiten. Zustand: Vortitelblatt mit Ausschnitt (Textverlust des Reihentitels und vermutlich eines Besitzereintrags), abgesehen hiervon ist das Buch in gutem Zustand. Size: 8°.

OBroschur. Blockseminar vom 15. bis 16. September 1993 im Rahmen des Graduiertenkollegs "Metrologie in Physik und Technik", Veranstalter : TU Braunschweig (Institut für Halbleitertechnik) und Physikalisch-Technische Bundesanstalt (Fertigungsmeßtechnik). 183S. Veröffentlicht in der Reihe : PTB_Berichte (f - 16). Size: 4°.

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Paperback. Zustand: Brand New. 340 pages. 9.50x6.30x1.00 inches. In Stock.

Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.

Taschenbuch. Zustand: Neu. Heterostructure Epitaxy and Devices | Josef Novák (u. a.) | Taschenbuch | NATO Science Partnership Subseries: 3 | xiii | Englisch | 2014 | Springer | EAN 9789401065931 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - From October 15 to 19, 1995 a Workshop on Hetero structureEpitaxyandDeviceswasheldatSmoleniceCastlenear Slovakia'scapital Bratislava. The intention ofthisWorkshop was toestablishandstrengthentiesbetweenscientistsoftheformerly Socialist East and Middle-European states with their colleagues fromtheWesterncountries. WiththisaimtheWorkshopfoundthe financialsupportbyNATOwhichtremendouslyhelpedtofacilitate organizingthemeeting That the Workshop was also a scientific success is evidenced by the present volume comprising a selection of the contributed papers. We are confident that the reader of these Proceedings can convincehimselfofthe highqualityofthe work whose results are presented here. We hope that this and the numerousdiscussionsbetweenthe participants ofthe Workshop will promote cooperations among scientists from the countries representedatthemeeting. It is a pleasure to express our gratitude to NATO and, as representatives ofthe institutions involved in the organization, to Lubomir Malacky (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences) and Hergo-Heinrich Wehmann (Institute for Semiconductor Technology, Technical University Braun schweig) whose dedicated work was most essential for the Workshop. A. Schlachetzki J. Novak November1995 xiii SIMULATIONOFIII-VLAYERGROWTH y. ARIMA DepartmentofPhysics, Gakushuin University 1-5-1 Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171, Japan AND T. IRISAWA ComputerCenter, Gakushuin University 1-5-1 Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171, Japan 1. Introduction Since it was reported [1] that the intensities of RHEED for the growing surface of aGaAs crystal in the process of MBE oscillate with a period correspondingto the completion of a monolayer, this phenomenon has been applied to the thin layer growth of man-made superlattices.

Zustand: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 436 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.

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Zustand: New. 1984. Paperback. . . . . . Books ship from the US and Ireland.

Zustand: New. 1978. 1978th Edition. paperback. . . . . . Books ship from the US and Ireland.

Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen.

Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 403 | Sprache: Deutsch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.

Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 264 | Sprache: Deutsch | Produktart: Bücher | Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfahigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu er­ zeugen. Es folgte eine Periode sturmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Fre­ quenzen dominierenden R5hren auf spezielle Hochleistungsan­ wendungen abdrangten. Daruberhinaus wurden fur Halbleiter Fre­ quenzbereiche erschlossen, die bisher unzuganglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente fur das Mi­ krowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer h5heren Frequen­ zen vorstoBen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter­ und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschrankung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heiBen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halb­ leiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemen­ te, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transi­ storen geh5ren ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfugbar sind und damit weit in das hier interessierende Fre­ quenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen.

Taschenbuch. Zustand: Neu. Public Diplomacy | Der Auslandsrundfunk als Instrument U.S.-amerikanischer Außenpolitik | Kristina Schlachetzki | Taschenbuch | Deutsch | VDM Verlag Dr. Müller | EAN 9783836459860 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.

Taschenbuch. Zustand: Neu. Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik | Laufzeitdioden, Gunn-Elemente, Mikrowellen-Feldeffekttransistoren | Andreas Schlachetzki | Taschenbuch | 261 S. | Deutsch | 1984 | Vieweg & Teubner | EAN 9783519000990 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, 65189 Wiesbaden, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.