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Land des Verkäufers

  • Kharchenko Vjacheslav

    Verlag: Formaslov, 2023

    ISBN 10: 5604756695 ISBN 13: 9785604756690

    Anbieter: Ruslania, Helsinki, Finnland

    Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen 5 Sterne, Erfahren Sie mehr über Verkäufer-Bewertungen

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    Zustand: new. Pages: 350 Language: Russian. Ot svoej prirody ne ujti. Liricheskij geroj knigi Vjacheslava Kharchenko polzhizni khotel pereekhat v Krym. I vot ego mechta sbylas: on obosnovalsja tam, gde pleschetsja laskovoe more, gde vyzrevajut masliny, a kiparisy prakticheski ne ukryvajut ot solntsa, kotoroe svetit 365 dnej v godu. Detskij vostorg? Neverojatnye emotsii? Vprochem, dazhe pod juzhnym nebom rasskazchik ostajotsja soboj - izvestnym moskovskim prozaikom, kotoryj s ljogkostju i jumorom sobiraet svezhie vpechatlenija. Novyj sbornik priznannogo mastera korotkoj formy Vjacheslava Kharchenko - o tom, chto chelovek mozhet izmenit i pochemu v etom mire nichego ne menjaetsja. Kniga "Moskvich v Juzhnom gorode" poluchila spetsialnyj diplom premii imeni Fazilja Iskandera russkogo PEN-tsentra. 9785604756690.

  • Vjacheslav Kharchenko

    Sprache: Englisch

    Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2020

    ISBN 10: 6200486433 ISBN 13: 9786200486431

    Anbieter: Buchpark, Trebbin, Deutschland

    Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen 5 Sterne, Erfahren Sie mehr über Verkäufer-Bewertungen

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    Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The monograph discusses the physical foundations of a new method of doping semiconductors, the basic element of which is nuclear reactions that occur in the volume of a semiconductor under the influence of fast charged particles, neutrons, high-energy gamma radiation, as well as the inevitably occurring side effects - the formation of radiation defects, the kinetics of their accumulation and annealing. Detailed data are presented on the technology of uniform irradiation of bulk ingots with neutrons depending on the specific design of the nuclear reactor, the medium and modes of annealing of radiation defects, the requirements for the starting material, and the electrophysical properties of doped silicon crystals are considered. The sources of radioactive contamination of the ingots during the irradiation process and the technological methods of their deactivation to a safe level are analyzed.The monograph is designed for scientists and production personnel interested in the problems of solid state radiation physics and radiation materials science of semiconductors and devices based on them, as well as graduate students and students of relevant specialties.