Solid State Electronic Devices, (Seventh Edition)

Ben G. Streetman,Sanjay Banerjee

Verlag: PHI Learning, 2015
ISBN 10: 8120350006 / ISBN 13: 9788120350007
Neu / Softcover / Anzahl: > 20
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Beschreibung:

Description: This book is an introduction to semiconductor devices for undergraduate electrical engineers, other interested students, and practicing engineers and scientists whose understanding of modern electronics needs updating. The book is organized to bring students with a background in basic physics to a level of understanding that will allow them to read much of the current literature on new devices and applications. The book has two goals: 1. To provide students with a sound understanding of existing devices, so that their studies of electronic circuits and systems will be meaningful and 2. To develop the basic tools with which they can later learn about newly developed devices and applications. Contents: PREFACE ABOUT THE AUTHORS 1. CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS: 1.1 Semiconductor Materials, 1.2 Crystal Lattices, 1.3 Bulk Crystal Growth, 1.4 Epitaxial Growth, 1.5 Wave Propagation in Discrete, Periodic Structures 2. ATOMS AND ELECTRONS: 2.1 Introduction to Physical Models, 2.2 Experimental Observations, 2.3 The Bohr Model, 2.4 Quantum Mechanics, 2.5 Atomic Structure and the Periodic Table 3. ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS: 3.1 Bonding Forces and Energy Bands in Solids, 3.2 Charge Carriers in Semiconductors, 3.3 Carrier Concentrations, 3.4 Drift of Carriers in Electric and Magnetic Fields, 3.5 Invariance of the Fermi Level at Equilibrium 4. EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS: 4.1 Optical Absorption, 4.2 Luminescence, 4.3 Carrier Lifetime and Photoconductivity, 4.4 Diffusion of Carriers 5. JUNCTIONS: 5.1 Fabrication of p-n Junctions, 5.2 Equilibrium Conditions, 5.3 Forward- and Reverse-Biased Junctions; Steady State Conditions, 5.4 Reverse-Bias Breakdown, 5.5 Transient and A-C Conditions, 5.6 Deviations from the Simple Theory, 5.7 Metal?Semiconductor Junctions, 5.8 Heterojunctions 6. FIELD-EFFECT TRANSISTORS: 6.1 Transistor Operation, 6.2 The Junction FET, 6.3 The Metal?Semiconductor FET, 6.4 The Metal?insulator?Semiconductor FET, 6.5 The MOS Field-Effect Transistor, 6.6 Advanced MOSFET Structures 7. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS: 7.1 Fundamentals of BJT Operation, 7.2 Amplification with BJTs, 7.3 BJT Fabrication, 7.4 Minority Carrier Distributions and Terminal Currents, 7.5 Generalized Biasing, 7.6 Switching, 7.7 Other Important Effects, 7.8 Frequency Limitations of Transistors, 7.9 Heterojunction Bipolar Transistors 8. OPTOELECTRONIC DEVICES: 8.1 Photodiodes, 8.2 Light-Emitting Diodes, 8.3 Lasers, 8.4 Semiconductor Lasers 9. INTEGRATED CIRCUITS: 9.1 Background, 9.2 Evolution of Integrated Circuits, 9.3 Monolithic Device Elements, 9.4 Charge Transfer Devices, 9.5 Ultra Large-Scale Integration (ULSI), 9.6 Testing, Bonding, and Packaging 10. HIGH-FREQUENCY, HIGH-POWER AND NANOELECTRONIC DEVICES: 10.1 Tunnel Diodes, 10.2 The IMPATT Diode, 10.3 The Gunn Diode, 10.4 The p-n-p-n Diode, 10.5 The Semiconductor-Controlled Rectifier, 10.6 Insulated-Gate Bipolar Transistor, 10.7 Nanoelectronic Devices APPENDICES: I. Definitions of Commonly Used Symbols, II. Physical Constants and Conversion Factors, III. Properties of Semiconductor Materials, IV. Derivation of the Density of States in the Conduction Band, V. Derivation of Fermi?Dirac Statistics, VI. Dry and Wet Thermal Oxide Thickness Grown on Si (100) as a Function of Time and Temperature, VII. Solid Solubilities of Impurities in Si, VIII. Diffusivities of Dopants in Si and Si02, IX. Projected Range and Straggle as Function of Implant Energy in Si. ANSWERS TO SELECTED SELF QUIZ QUESTIONS INDEX Printed Pages: 613. Buchnummer des Verkäufers 77374

Bibliografische Details

Titel: Solid State Electronic Devices, (Seventh ...
Verlag: PHI Learning
Erscheinungsdatum: 2015
Einband: Softcover
Zustand: New
Auflage: 5th or later edition.

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