Optical Properties of Semiconductors
N. G. Basov
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In den Warenkorb legenDruck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Radiation Emitted from Semiconductor Lasers in Strong Magnetic Fields and under High Hydrostatic Pressures.- I Influence of Magnetic Fields and High Pressures on Energy Spectra of Semiconductors.- ¿1. Influence of Magnetic Fields on Energy Structure of III¿V and IV¿VI Semiconductor Compounds.- ¿2. Influence of Pressure on Energy Structures of III¿V and IV¿VI Compounds.- ¿3. Characteristics of Semiconductor Laser Operation Affected by Variation of Temperature, Pressure, and Magnetic Field.- II Experimental Method.- ¿1. Apparatus for Excitation of Injection Lasers and Recording of Emission Spectra.- ¿2. Q-Switched CO2 Laser.- ¿3. Technique Used in Low-Tempe rature Magnetooptic Investigations at Infrared Wavelengths.- ¿4. Apparatus Used in Optical Measurements at Infrared Wavelengths under High Hydrostatic Pressures at 77¿K.- ¿5. Zinc- and Copper-Doped Germanium Infrared-Radiation Detectors.- ¿6. Scanning of Infrared Radiation Emitted from InSb Crystals.- ¿7. Other Measurements.- III Influence of Magnetic Fields on Emission Spectra of p-n Junctions in InAs, InSb, and PbSe.- ¿1. Spontaneous and Coherent Radiation Emitted from InAs Injection Lasers.- ¿2. Radiation Emitted from InSb Injection Lasers in Strong Magnetic Fields. Position of Light-Emission Region.- ¿3. Spontaneous and Coherent Radiation Emitted from p-n Junctions in PbSe,.- IV Magnetically Tuned Stimulated Raman Emission from Indium Antimonide.- ¿1. Raman Scattering of Light by Plasmons and Landau Levels in Semiconductors.- ¿2. Stimulated Raman Scattering of Light Accompanied by Spin Flip in Indium Antimonide.- ¿3. Discussion of Results.- V Influence of Pressure on Radiation Emitted from Lead Selenide and Gallium Arsenide Semiconductor Lasers.- ¿1. Emission Spectra of PbSe Lasers.- ¿2. Emission Spectra of GaAs Lasers.- ¿3. Discussion of Results.- Conclusions.- Literature Cited.- Investigation of the Collective Properties of Excitons in Germanium by Long-Wavelength Infrared Spectroscopy Methods.- I Energy Spectra and Collective Properties of Excitons in Semiconductors.- 1. Energy Spectrum of Excitons.- ¿1. Theoretical Calculations.- ¿2. Experimental Results.- 2. Collective Properties of Exciton Systems.- ¿1. Theoretical Representations.- ¿2. Discussion of Experimental Results.- II Methods used in Far-Infrared Investigations of Excitons in Semiconductors.- ¿1. Spectroscopic Measurements.- ¿2. Apparatus Used in Low-Tempe rature Optical Measurements under Interband Excitation Conditions.- ¿3. Sources of Exciting Radiation.- ¿4. Thermal Conditions.- III Far-Infrared Resonance Absorption in Condensed Exciton Phase in Germanium.- ¿1. Absorption Spectra of Intrinsic Germanium.- ¿2. Discussion of Parameters of Electron ¿Hole Drops (n0 and ).- ¿3. Temperature Dependence of Resonance Absorption.- ¿4. Dependence of Resonance Absorption on Excitation Rate.- ¿5. Resonance Absorption in Doped Germanium.- IV Resonance Luminescence of Condensed Exciton Phase in Germanium.- ¿1. Experimental Investigation of Resonance Luminescence.- ¿2. Discussion of Experimental Results. Effective Luminescence Temperature of Drops.- ¿3. Influence of Inhomogeneous Deformation on Resonance Absorption and Luminescence. Mobility of Electron-Hole Drops.- V Photoionization and Excitation of Free Excitons in Germanium by Submillimeter Radiation.- ¿1. Photoionization and Excitation Spectra.- ¿2. Discussion of Experimental Results. Energy Levels of Excitons.- Literature Cited.- Collective Interactions of Excitons and Nonequilibrium Carriers in Gallium Arsenide and Silicon.- I Collective Interactions of Excitons in Semiconductors.- II Measurement Method.- ¿1. Optical System and Method of Recording Luminescence during Continuous Optical Excitation.- ¿2. Optical System and Method of Recording Luminescence Due to High-Power Light Pulses.- ¿3. Temperature Measurement Method.- ¿4. Determination of Temperature Rise in a Semiconductor during Continuous Optical Excitati.
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