Leakage in Nanometer CMOS Technologies

Sprache: Englisch

Verlag: Springer US, 2005

0387257373 / 9780387257372

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Zustand: Sehr gut | Seiten: 320 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Scaling transistors into the nanometer regime has resulted in a dramatic increase in MOS leakage (i.e., off-state) current. Threshold voltages of transistors have scaled to maintain performance at reduced power supply voltages. Leakage current has become a major portion of the total power consumption, and in many scaled technologies leakage contributes 30-50% of the overall power consumption under nominal operating conditions. Leakage is important in a variety of different contexts. For example, in desktop applications, active leakage power (i.e., leakage power when the processor is computing) is becoming significant compared to switching power. In battery operated systems, standby leakage (i.e., leakage when the processor clock is turned off) dominates as energy is drawn over long idle periods. Increased transistor leakages not only impact the overall power consumed by a CMOS system, but also reduce the margins available for design due to the strong relationship between process variation and leakage power. It is essential for circuit and system designers to understand the components of leakage, sensitivity of leakage to different design parameters, and leakage mitigation techniques in nanometer technologies. This book provides an in-depth treatment of these issues for researchers and product designers.…

Bestandsnummer des Verkäufers 2634272/12

Titel
Leakage in Nanometer CMOS Technologies
Autor
Unbekannt
Verlag
Springer US
Erscheinungsjahr
2005
Zustand
Sehr gut
Einband
Hardcover
Sprache
Englisch
ISBN-10
0387257373
ISBN-13
9780387257372
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