AB INITIO teoriya jelektron-fononnyh processov v poluprovodnikah

Beschreibung:

Neuware - Jelektron-fononnoe vzaimodejstvie igraet fundamental'nuju rol' v ponimanii processov transporta zaryada i tepla v kristallah, sverhprovodimosti, temperaturnoj zavisimosti opticheskih spektrov, relaxacii jenergii v bystro-protekajushhih processah v vysokovozbuzhdennyh kristallah i dr. Predstavlena teoriya, pozvolyajushhaya iz pervyh principov rasschityvat' processy rasseyaniya jelektronov na fononah s proizvol'noj dlinoj volny v poluprovodnikah. Dlya kremniya, germaniya i gruppy binarnyh poluprovodnikov vpervye samosoglasovannym obrazom rasschitany parametry rasseyaniya jelektronov na korotko-volnovyh fononah. S ih pomoshh'ju provedeny vychisleniya s vyhodom za predely priblizheniya vremeni relaxacii dlya opredeleniya termojelektricheskih harakteristik v kremnii. Na jetoj osnove postroena metodika dlya rascheta vremen zhizni, obuslovlennyh rasseyaniem na korotkovolnovyh fononah, dlya melkih primesnyh urovnej v kremnii, a takzhe jexitonov v fosfide galliya i v germanii v usloviyah vsestoronnego vneshnego davleniya. Prilozheniya soderzhat spravochnyj material dlya chislennogo modelirovaniya kineticheskih processov v poluprovodnikah. Kniga prednaznachena dlya specialistov v oblasti teorii tverdogo tela, aspirantov i studentov 128 pp. Russisch. Buchnummer des Verkäufers 9786202052184

Über diesen Titel:

Reseña del editor: Электрон-фононное взаимодействие играет фундаментальную роль в понимании процессов транспорта заряда и тепла в кристаллах, сверхпроводимости, температурной зависимости оптических спектров, релаксации энергии в быстро-протекающих процессах в высоковозбужденных кристаллах и др. Представлена теория, позволяющая из первых принципов рассчитывать процессы рассеяния электронов на фононах с произвольной длиной волны в полупроводниках. Для кремния, германия и группы бинарных полупроводников впервые самосогласованным образом рассчитаны параметры рассеяния электронов на коротко-волновых фононах. С их помощью проведены вычисления с выходом за пределы приближения времени релаксации для определения термоэлектрических характеристик в кремнии. На этой основе построена методика для расчета времен жизни, обусловленных рассеянием на коротковолновых фононах, для мелких примесных уровней в кремнии, а также экситонов в фосфиде галлия и в германии в условиях всестороннего внешнего давления. Приложения содержат справочный материал для численного моделирования кинетических процессов в полупроводниках. Книга предназначена для специалистов в области теории твердого тела, аспирантов и студентов

Bibliografische Details

Titel: AB INITIO teoriya jelektron-fononnyh ...
Verlag: LAP Lambert Academic Publishing
Einband: Taschenbuch
Zustand: Neu