High Dielectric Constant Materials : VLSI MOSFET Applications

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, Berlin, Springer, 2004

3540210814 / 9783540210818

Serie: Buch 6 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics

Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Issues relating to the high-K gate dielectric are among the greatest challenges for the evolving International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). More than just an historical overview, this book will assess previous and present approaches related to scaling the gate dielectric and their impact, along with the creative directions and forthcoming challenges that will define the future of gate dielectric scaling technology. Topics include: an extensive review of Moore's Law, the classical regime for SiO2 gate dielectrics; the transition to silicon oxynitride gate dielectrics; the transition to high-K gate dielectrics (including the drive towards equivalent oxide thickness in the single-digit nanometer regime); and future directions and issues for ultimate technology generation scaling. The vision, wisdom, and experience of the team of authors will make this book a timely, relevant, and interesting, resource focusing on fundamentals of the 45 nm Technology Generation and beyond.

Bestandsnummer des Verkäufers 9783540210818

Titel
High Dielectric Constant Materials : VLSI MOSFET Applications
Autor
Howard Huff
Verlag
Springer, Berlin, Springer
Veröffentlichungsjahr
2004
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
3540210814
ISBN-13
9783540210818
Artikelgewicht
1.216 Gramm
Abmessungen
235x155x43 mm
Serie
Buch 6 von 72: Springer Series in Advanced Microelectronics

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