Heterostructures on Silicon: One Step Further with Silicon

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, Springer, 2011

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In the field of logic circuits in microelectronics, the leadership of silicon is now strongly established due to the achievement of its technology. Near unity yield of one million transistor chips on very large wafers (6 inches today, 8 inches tomorrow) are currently accomplished in industry. The superiority of silicon over other material can be summarized as follow: - The Si/Si0 interface is the most perfect passivating interface ever 2 obtained (less than 10' e y-I cm2 interface state density) - Silicon has a large thermal conductivity so that large crystals can be pulled. - Silicon is a hard material so that large wafers can be handled safely. - Silicon is thermally stable up to 1100°C so that numerous metallurgical operations (oxydation, diffusion, annealing . ) can be achieved safely. - There is profusion of silicon on earth so that the base silicon wafer is cheap. Unfortunatly, there are fundamental limits that cannot be overcome in silicon due to material properties: laser action, infra-red detection, high mobility for instance. The development of new technologies of deposition and growth has opened new possibilities for silicon based structures. The well known properties of silicon can now be extended and properly used in mixed structures for areas such as opto-electronics, high-speed devices. This has been pioneered by the integration of a GaAs light emitting diode on a silicon based structure by an MIT group in 1985.

Bestandsnummer des Verkäufers 9789401069007

Titel
Heterostructures on Silicon: One Step Further with Silicon
Autor
Y. Nissim
Verlag
Springer, Springer
Veröffentlichungsjahr
2011
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
940106900X
ISBN-13
9789401069007
Artikelgewicht
575 Gramm
Abmessungen
235x155x21 mm

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