Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Sprache: Englisch
Verlag: Springer India, 2015
Serie: Buch 50 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
- Hardcover
- Gebraucht
Anbieter: Buchpark, Trebbin, DeutschlandBuchpark
AbeBooks-Verkäufer/-in seit 30. September 2021
Zustand: Gebraucht - Sehr gut
EUR 83,61
Anzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbArtikelbeschreibung des Verkäufers
Zustand: Sehr gut | Seiten: 288 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.…
Bestandsnummer des Verkäufers 25686754/12
- Titel
- Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
- Autor
- Unbekannt
- Verlag
- Springer India
- Erscheinungsjahr
- 2015
- Zustand
- Sehr gut
- Einband
- Hardcover
- Sprache
- Englisch
- ISBN-10
- 8132225074
- ISBN-13
- 9788132225072
- Serie
- Buch 50 von 72: Springer Series in Advanced Microelectronics
- Verkäuferkataloge
- Bücher
This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.
„Inhaltsangabe“ gehört möglicherweise zu einer anderen Auflage dieses Titels.
Über die Autorin bzw. den Autor
Souvik Mahapatra received his Bachelors and Masters degrees in Physics from Jadavpur University, Calcutta, India in 1993 and 1995 respectively and PhD in Electrical Engineering from IIT Bombay, Mumbai, India in 1999. During 2000-2001, he was with Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, NJ, USA. Since 2002 he is with the Department of Electrical Engineering at IIT Bombay and currently holds the position of full professor. His primary research interests are in the area of semiconductor device characterization, modeling and simulation and in particular, MOS transistor and Flash memory device scaling and reliability. He has contributed in several technologically relevant research areas such as MOS gate insulator scaling, Channel Hot Carrier Degradation and Bias Temperature Instability in CMOS devices and CHISEL NOR Flash, SONOS NOR and NAND Flash and Metal Nanodot NAND Flash memory devices. He has published more than 150 papers in peer reviewed journals and conferences, delivered invited talks and tutorials in major international conferences including at the IEEE IEDM and IEEE IRPS and served as a committee member and session chair in several IEEE conferences. He is a fellow of the Indian National Academy of Engineering, senior member of IEEE and a distinguished lecturer of IEEE EDS.
„Über diesen Titel“ gehört möglicherweise zu einer anderen Auflage dieses Titels.
Buchpark
Trebbin, Deutschland
AbeBooks-Verkäufer/-in seit 30. September 2021
Versandkosten von Deutschland nach USA
| Artikel | 60 bis 60 Werktage | 60 bis 60 Werktage |
|---|---|---|
| Erster Artikel | EUR 105,00 | EUR 130,00 |
Zahlungsarten
- Banküberweisung
- PayPal
- Vorauskasse
Shopbeschreibung
Seit über 30 Jahren handeln wir mit Büchern. Begonnen hat alles als kleiner Fachbuchhandel in Berlin. Heute sind wir spezialisiert auf den An- und Verkauf gebrauchter Bücher. Noch immer liegt unser Fokus dabei auf den Kategorien: Fachbuch und englischsprachige Literatur. Hinzu kommen Bücher aus allen anderen Genres, wie Belletristik, Biografien oder Kinderbücher. Unser oberstes Ziel ist dabei die Weiterverwendung von Dingen und die Schonung von Ressourcen. Neben dem Ankauf von privaten Büchern oder Haushaltsauflösungen kaufen wir bundesweit komplette Bibliotheken und Buchbestände von Institutionen auf, um diese nachhaltig ein weiteres Mal auf den Markt zu bringen. Parallel dazu bietet Buchpark die Möglichkeit, große Mengen einzulagern. Ganze Bibliotheken und umfangreiche Buchbestände werden von uns professionell auf Qualitätsmerkmale hin untersucht und sorgfältig für den Onlinehandel aufbereitet. Wir schenken Büchern ein zweites Leben.…
Unternehmensdaten der Verkäuferin bzw. des Verkäufers
Buchpark GmbH
Krügerweg 1
Trebbin, Deutschland 14959
Widerrufsrecht
Wenn Sie Verbraucher sind, können Sie gemäß den folgenden Bestimmungen vom Vertrag zurücktreten. Verbraucher ist jede natürliche Person, die zu Zwecken handelt, die nicht ihrer kaufmännischen, gewerblichen, künstlerischen oder beruflichen Tätigkeit zugerechnet werden können.
Informationen zum Widerrufsrecht
Gesetzliches Widerrufsrecht
Sie haben das Recht, den Vertrag innerhalb von 14 Tagen ohne Angabe von Gründen zu widerrufen.
Die Widerrufsfrist beträgt 14 Tage ab dem Tag, an dem Sie oder ein von Ihnen benannter Dritter, der nicht der Transporteur ist, die letzte Ware oder den letzten Posten oder das letzte Exemplar in Besitz genommen hat.
Um das Widerrufsrecht auszuüben, füllen Sie auf unserer Website unter „Meine Einkäufe" in „Mein Nutzerkonto" eine eindeutige Erklärung elektronisch aus und senden Sie sie ab. Wir werden Ihnen unverzüglich eine Bestätigung über den Eingang eines solchen Widerrufs auf einem dauerhaften Datenträger (z. B. per E-Mail) übermitteln.
Um die Widerrufsfrist einzuhalten, reicht es aus, dass Sie Ihre Mitteilung über die Ausübung des Widerrufsrechts vor Ablauf der Widerrufsfrist absenden.
Auswirkungen des Widerrufs
Wenn Sie diesen Vertrag widerrufen, erstatten wir Ihnen alle Zahlungen, die wir von Ihnen erhalten haben, einschließlich der Lieferkosten (mit Ausnahme der zusätzlichen Kosten, die entstehen, wenn Sie eine andere Art der Lieferung als die von uns angebotene günstigste Standardlieferung gewählt haben).
Wir können einen Abzug von der Rückerstattung für den Wertverlust der gelieferten Waren vornehmen, wenn der Verlust auf eine unnötige Behandlung durch Sie zurückzuführen ist.
Wir werden die Rückerstattung unverzüglich und nicht später als 14 Tage nach dem Tag vornehmen, an dem wir über Ihre Entscheidung, diesen Vertrag zu widerrufen, informiert wurden.
Für die Rückerstattung verwenden wir dasselbe Zahlungsmittel, das Sie für die ursprüngliche Transaktion verwendet haben, es sei denn, Sie haben ausdrücklich etwas anderes vereinbart; in keinem Fall werden Ihnen aufgrund einer solchen Rückerstattung Gebühren berechnet.
Wir können die Rückzahlung verweigern, bis wir die Waren wieder zurückerhalten haben oder Sie den Nachweis erbracht haben, dass Sie die Waren zurückgesandt haben, je nachdem, was eher eintritt.
Sie müssen die Waren unverzüglich und in jedem Fall spätestens 14 Tage ab dem Tag, an dem Sie uns über den Widerruf dieses Vertrags unterrichten, an Buchpark, Trebbin, Germany, zurücksenden oder übergeben. Die Frist ist eingehalten, wenn Sie die Ware vor Ablauf der Frist von 14 Tagen zurücksenden. Sie müssen die direkten Kosten der Rücksendung der Waren tragen. Sie haften nur für einen etwaigen Wertverlust der Waren, der auf eine Behandlung zurückzuführen ist, die nicht zur Prüfung der Art, Eigenschaften und Funktionsweise der Waren erforderlich ist.
Ausnahmen vom Widerrufsrecht
Das Widerrufsrecht gilt nicht für:
- Die Lieferung von Zeitungen, Zeitschriften oder Magazinen mit Ausnahme von Abonnementverträgen; und
- Die Lieferung digitaler Inhalte, die nicht auf einem physischen Medium (z. B. auf einer CD oder DVD) geliefert werden, wenn Sie bei Ihrer Bestellung akzeptiert haben, dass wir mit der Lieferung beginnen können und dass Sie nach Beginn der Lieferung den Vertrag nicht mehr widerrufen können.