Electronic Structure of Semiconductor Interfaces

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, 2024

3031590635 / 9783031590634

Serie: Buch 97 von 110 - Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology

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This concise volume examines the characteristic electronic parameters of semiconductor interfaces, namely the barrier heights of metal-semiconductor or Schottky contacts and the valence-band discontinuities of semiconductor-semiconductor interfaces or heterostructures. Both are determined by the same concept, namely the wave-function tails of electron states overlapping a semiconductor band gap directly at the interface. These interface-induced gap states (IFIGS) result from the complex band structure of the corresponding semiconductor. The IFIGS are characterized by two parameters, namely by their branch point, at which their charge character changes from predominantly valence-band- to conduction-band-like, and secondly by the proportionality factor or slope parameter of the corresponding electric-dipole term, which varies in proportion to the difference in the electronegativities of the two solids forming the interface. This IFIGS-and-electronegativity concept consistently and quantitatively explains the experimentally observed barrier heights of Schottky contacts as well as the valence-band offsets of heterostructures. Insulators are treated as wide band-gap semiconductors. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 431.…

Titel
Electronic Structure of Semiconductor Interfaces
Autor
Winfried M?nch
Verlag
Springer
Erscheinungsjahr
2024
Zustand
Neu
Einband
Gebundene Ausgabe
Sprache
Englisch
ISBN-10
3031590635
ISBN-13
9783031590634
Artikelgewicht
431 Gramm
Serie
Buch 97 von 110: Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology

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