The Dopant Density and Temperature Dependence of Electron Mobility and Resistivity in N-Type Silicon (NBS Special Publication 400-33).

Verlag: National Bureau of Standards., 1977

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Bibliografische Details

Titel
The Dopant Density and Temperature Dependence of Electron Mobility and Resistivity in N-Type Silicon (NBS Special Publication 400-33).
Autor
Sheng, S. Li and the Electronic Technology Division, Institute for Applied Technology, National Bureau of Standards.
Verlag
National Bureau of Standards.
Erscheinungsjahr
1977
Zustand
Very Good
Buchtyp
Book
Einband
Soft cover
Verkäuferkataloge
Physical Sciences

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