Modellierung der parasitären passiven Elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen

 
9783862197521: Modellierung der parasitären passiven Elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen
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Heeb, Michael
Verlag: Kassel University Press Mai 2014 (2014)
ISBN 10: 3862197522 ISBN 13: 9783862197521
Neu Taschenbuch Anzahl: 1
Anbieter
AHA-BUCH GmbH
(Einbeck, Deutschland)
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Buchbeschreibung Kassel University Press Mai 2014, 2014. Taschenbuch. Buchzustand: Neu. 211x151x13 mm. Neuware - Die vorliegende Arbeit setzt sich mit der Modellierung von Resonanzkreisen in IGBT-Hochleistungsmodulen auseinander, die bei mehrfacher Parallelschaltung von Leistungshalbleitern entstehen können. Im Blickpunkt steht die Prognose von Hochfrequenzschwingungen, deren elektromagnetische Ausbreitung die Umwelt stören kann und deshalb durch präventives Schaltungslayout vermieden werden soll. Am Beispiel der PETT-Oszillationen werden Methoden zur Prognose von Hochfrequenzschwingungen entwickelt und untersucht, um die Vorhersagbarkeit zu verbessern. Schwerpunkt der Arbeit ist hierbei die Simulation der parasitären, passiven Leiterelemente, die mittels unterschiedlichen Simulationsansätzen ermittelt werden. Mithilfe von Messungen, die von zur PETT-Schwingung neigenden Modullayouts stammen, werden die resultierenden Modelle eingehend analysiert. Neben der Modellierung der parasitären Resonanzkreise werden die Schwingungsursache der PETT-Oszillationen und deren Verhalten näher untersucht. Hierbei werden die komplexen Zusammenhänge im Schwingungsvorgang betrachtet und eine neue analytische Methode zur Vorhersage der Oszillationsfrequenzbandbreite vorgestellt. 190 pp. Deutsch. Artikel-Nr. 9783862197521

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