Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

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9783835102453: Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Rezension:

"Dieses Lehrbuch beinhaltet eine hervorragende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen."
Metall, 06/2009

Zur 3.Auflage:

"Vakuumtechnik und Nasschemie sind eben nicht jedermanns Sache und dementsprechend groß ist der Bedarf an einer verständlichen Einführung in dieses Feld. Ulrich Hilleringmann ist mit seinem jetzt in der dritten Auflage vorliegendem Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen."
Elektronik, 11/2003

Vom Verlag:

Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 5. Auflage sind neue Themen wie "Atomic Layer Deposition" hinzugekommen, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde ergänzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusätzlich eingearbeitet.

„Über diesen Titel“ kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.

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