Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten (German Edition)

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9783832518080: Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten (German Edition)

Der Einsatz von Silicon-on-Insulator (SOI)-Substraten hat sich mittlerweile bei zahlreichen elektronischen Halbleiterbauelementen etabliert. Zur Herstellung der dunnen Halbleiterschicht auf einem Isolatorsubstrat stellt die Wasserstoff-induzierten Schichtabtrennung eine interessante Moglichkeit dar, die mit dem Smart-Cut Prozess industriell angewandt wird. In der vorliegenden Arbeit wird zunachst der zugrunde liegende Mechanismus dieses Herstellungsprozesses untersucht. Insbesondere wird die thermische Evolution Wasserstoff-induzierter Defekte nach der Ionenimplantation und die Wechselwirkung von Wasserstoff mit Silizium betrachtet. Zur Reduzierung der fur die Delamination notwendig hohen und kostspieligen Wasserstoff-Ionenimplantation wird das Verfahren weiterentwickelt. Es wird untersucht und gezeigt wie die Implantationsdosis durch eine anschliessende Wasserstoff-Plasmabehandlung reduziert werden kann. Da der Einfluss der Temperatur wird dabei als ein entscheidender Faktor fur die Art der Silizium-Wasserstoff-Defektbildung hervorgehoben. Abschliessend werden die Prinzipien des experimentell erforschten, erweiterten Verfahrens erlautert.

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