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Part of a two-volume set exploring semiconductors and integrated-circuit modelling, this study describes process modelling (geometry and impurity doping characteristics) and device modelling (characteristics needed to specify the compact models employed by circuit simulators).
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Part of a two-volume set exploring semiconductors and integrated-circuit modelling, this study describes process modelling (geometry and impurity doping characteristics) and device modelling (characteristics needed to specify the compact models employed by circuit simulators).
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