Das Widerstands- Und Ultraschallschweissen ALS Verfahren Zum Verbinden Kleinster Bauelemente in Der Elektrotechnik (Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen / Fachgruppe Physik/Mathematik)

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9783531022932: Das Widerstands- Und Ultraschallschweissen ALS Verfahren Zum Verbinden Kleinster Bauelemente in Der Elektrotechnik (Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen / Fachgruppe Physik/Mathematik)
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Seit 1948, dem Jahr der Erfindung des Transistors und seiner bold darauf folgenden teehnischen EinfUhrung in die Elektronik, hot die Mikroelektro­ nik eine groI3e industrielle Bedeutung erlangt. Die aus vielen Grilnden, z. B. Steigerung der Grenzfrequenz, Verringerung des Volumens, Gewichts­ ersparnis und Steigerung der Zuverl~ssigkeit, angestrebte Miniaturisierung der elektrisehen Sehaltelemente konnte mit Hil fe zwe ier Teehnologien, der "DUnnfilmteehnik" und der "Holbleitertechnik", entscheidend vorangetrieben werden. In der DUnnfilmteehnik werden auf isolierende Tr~gerwerkstoffe wie Glas und Keramik naeh versehiedenen Verfahren MetalldUnnfilme von wenigen ~ bis zu 10 tm Dieke vor allem aus den VJerkstoffen Cr, Cu, Ni, Ta, Ag und Au aufgebracht. Durch Atzen und Ausblenden mit Hilfe von Masken ent­ stehen passive Sehaltelemente (Kondensatoren, Hiderstonde), die unter­ einander dureh gut lei tende Lei terbahnen verbunden werden. Die ~uI3eren AnsehlUsse dieser DUnnfilmschaltkreise werden hergestellt dureh Dr~hte, Flaehdrahte und B?nder, die mit den auBen auf dem Substrat liegenden An­ sehluI3fl?che n versehweiBt werden. Die Herkstoffe d ieser DurchfUhrungen, die naeh dem VersehweiBen meist mit Kunststoff umgossen werden, sind vor­ zugsweise Gold, Kupfer, Nickel und die Legierung Kovar. FUr die Ver­ bindungsprobleme an DUnnfilmsehaltungen eignen sieh dos Hiderstandspunkt-, dos Ultrasehall-, dos ThermokompressionsschweiBen und einige Lotverfahren. In der Halbleiterteehnik werden die Bauelemente dureh Diffusion von ver­ schiedenen Fremdatomen in einem Silizium-Einkristall meist mittels der Planar-Diffusionsteehnik hergestellt. Die elektrischen AnsehlUsse dieser aktiven Sehaltelemente (Transistoren, Dioden) werden von aufgedampften Aluminium-DUnnfilmstrukturen gebildet. Dos Kontaktieren, d. h.

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