This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures, to its applications.
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Qing Luo received his Ph.D. from the Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, China, in 2017. He is currently Professor at the Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology in IMECAS. His research interests are emerging memory devices including resistive RAM devices and ferroelectric memory devices.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. 3D Integration of Resistive Switching Memory | Qing Luo | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 2024 | CRC Press | EAN 9781032489506 | Verantwortliche Person für die EU: Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld, gpsr[at]libri[dot]de | Anbieter: preigu. Artikel-Nr. 130440464
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