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Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide
Verlag:
INSTITUTION OF ENGINEERING & T, 2000
ISBN 10: 0863416624
ISBN 13: 9780863416620
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Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide
Verlag:
Institution Of Engineering And Technology, 1993
ISBN 10: 0863416624
ISBN 13: 9780863416620
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Paperback
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Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide
Verlag:
Institution Of Engineering & Technology Sep 2000, 2000
ISBN 10: 0863416624
ISBN 13: 9780863416620
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - The semiconductor InGaAs (indium gallium arsenide) plays a pivotal role in the study of quantum systems which provide promising applications in the fields of microelectronics and optoelectronics. This reference explores recent developments with InGaAs. Leading researchers from the USA, Europe and Japan cover such issues as structural, thermal, mechanical and vibrational properties, the band structure of lattice-matched and strained alloys, transport and surface properties, radiative and non-radiative recombinations, expitaxial growth, doping, etching of InGaAs and related heterostructures, photodetectors, FETs, double heterostructure and quantum well lasers. Artikel-Nr. 9780863416620
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