Growth and Defect Structures (Crystals) - Hardcover

Inhaltsangabe

Polytypische Kristalle aus Halbleitern, Dielektrika und magnetischen Materialien erregen in Wissenschaft und Technik zunehmend Aufmerksamkeit. Einerseits ist das Phänomen des Polyty pism eines der grundlegenden Probleme der Festkörperphysik; seine Lösung würde es ermöglichen, das Problem der Verknüpfung verschiedener Strukturen und intraatomarer Kräfte, die in Kristallen wirken, aufzuklären. Andererseits äußert sich der polytypische Unterschied bei Kristallen am stärksten in elektrophysikalischen Eigenschaften, was ihre Anwendung vielversprechend macht, hauptsächlich in der Halbleiterelektronik. Somit können die Schwierigkeiten von pro ducing modulierten Strukturen in polytypischen Kristallen überwunden werden, da diese Kristalle eine Klasse von eindimensionalen natürlichen Übergittern bilden. Gegenwärtig ist klar geworden, dass Polytypismus in Kristallen und Verbindungen eher die Regel als eine Ausnahme ist und durch die Bedingungen ihrer Synthese bestimmt wird. Dieses Phänomen scheint in der Natur ziemlich weit verbreitet und für die Kristallform von grundlegender Bedeutung zu sein. Der H-Polytypismus wurde kürzlich als ein spezifisches strukturelles Merkmal einiger Substanzen wie SiC, ZnS, CdI usw. angesehen. Dieses Phänomen wurde mittlerweile in 2v einem zunehmenden Bereich kristalliner Substanzen entdeckt, beispielsweise in Silizium, Diamant, AIIIB, VI AIIB, AIBVII-Verbindungen, in ternären halbleitenden Verbindungen, Metallen, Silikaten, Perowskiten, Glimmern, organischen Kristallen. Je genauer die Strukturstudien gebildet werden, desto größer ist die Anzahl der Kristalle verschiedener Substanzen, die das Phänomen des Polytypismus aufweisen. In letzter Zeit haben hervorragende Umfragen unser Wissen über Polytypismus systematisiert.

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